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  • 集成電路 (集成電路)
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產(chǎn)品概述

型號 NVJD4152PT1G
廠家/品牌 onsemi
產(chǎn)品描述 NVJD4152 - Dual P-Channel Trench
數(shù)據(jù)庫
RoHs狀態(tài)
庫存狀況 In Stock
發(fā)貨地 Hong Kong
運輸方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有現(xiàn)貨： 62524 pcs

參考價格(美元)
1
$0.17

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產(chǎn)品特性

  • 型號NVJD4152PT1G
  • 制造商onsemi
  • 描述NVJD4152 - Dual P-Channel Trench
  • 產(chǎn)品分類44
  • 產(chǎn)品狀態(tài)62524 pcs Stock
  • 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds155pF @ 20V
  • 組態(tài)2 P-Channel
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 類別Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->FET, MOSFET Arrays
  • 電流 - 25°C連續(xù)排水（Id）880mA (Ta)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）20V
  • 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs2.2nC @ 4.5V
  • 技術(shù)MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封裝/箱體6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 安裝類型Surface Mount
  • 包裹Bulk
  • 功率 - 最大272mW (Ta)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝SC-88/SC70-6/SOT-363
  • 產(chǎn)品狀態(tài)Active
  • VGS（TH）（最大）@標(biāo)識1.2V @ 250μA
  • RDS（ON）（最大值）@標(biāo)識，柵極電壓260mOhm @ 880mA, 4.5V
  • FET特點Standard

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