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IMYH200R100M1HXKSA1

Infineon Technologies

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產(chǎn)品概述

型號(hào) IMYH200R100M1HXKSA1
廠家/品牌 Infineon Technologies
產(chǎn)品描述 SIC DISCRETE
數(shù)據(jù)庫(kù)
RoHs狀態(tài)
庫(kù)存狀況 Out Stock
發(fā)貨地 Hong Kong
運(yùn)輸方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有現(xiàn)貨： 0 pcs

參考價(jià)格(美元)
1
$24.393

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產(chǎn)品特性

  • 型號(hào)IMYH200R100M1HXKSA1
  • 制造商Infineon Technologies
  • 描述SIC DISCRETE
  • 產(chǎn)品分類46
  • 產(chǎn)品狀態(tài)0 pcs Stock
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大Rds開，最小Rds開）15V, 18V
  • 系列CoolSiC?
  • 類別Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 電流 - 25°C連續(xù)排水（Id）26A (Tc)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）2000 V
  • 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs55 nC @ 18 V
  • 技術(shù)SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
  • 封裝/箱體TO-247-4
  • 安裝類型Through Hole
  • 基本產(chǎn)品編號(hào)IMYH200
  • 包裹Tube
  • 功率耗散（最大）217W (Tc)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝PG-TO247-4-U04
  • 產(chǎn)品狀態(tài)Active
  • Vgs（最大）+20V, -7V
  • VGS（TH）（最大）@標(biāo)識(shí)5.5V @ 6mA
  • RDS（ON）（最大值）@標(biāo)識(shí)，柵極電壓131mOhm @ 10A, 18V
  • FET特點(diǎn)-
  • FET型N-Channel

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