|
型號(hào):GI711S
|
制造商:
|
描述:FAIL-SAFE INDUCTIVE SENSOR; M30
|
RoHs狀態(tài):RoHS
|
|
型號(hào):SK25-TP
|
制造商:
|
描述:DIODE SCHOT 50V 2A DO214AA HSMB
|
RoHs狀態(tài):RoHS
|
|
型號(hào):GI752-E3/54
|
制造商:
|
描述:DIODE GEN PURP 200V 6A P600
|
RoHs狀態(tài):RoHS
|
|
型號(hào):GI750-E3/54
|
制造商:
|
描述:DIODE GEN PURP 50V 6A P600
|
RoHs狀態(tài):RoHS
|
|
型號(hào):GI752-E3/73
|
制造商:
|
描述:DIODE GEN PURP 200V 6A P600
|
RoHs狀態(tài):RoHS
|
|
型號(hào):GI758
|
制造商:
|
描述:DIODE GEN PURP 800V 6A AXIAL
|
RoHs狀態(tài):RoHS
|
|
型號(hào):GI712S
|
制造商:
|
描述:FAIL-SAFE INDUCTIVE SENSOR; M30
|
RoHs狀態(tài):RoHS
|
|
型號(hào):GI754-E3/54
|
制造商:
|
描述:DIODE GEN PURP 400V 6A P600
|
RoHs狀態(tài):RoHS
|
|
型號(hào):GI751
|
制造商:
|
描述:DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL
|
RoHs狀態(tài):RoHS
|
|
型號(hào):GI758-E3/54
|
制造商:
|
描述:DIODE GEN PURP 800V 6A P600
|
RoHs狀態(tài):RoHS
|
|
型號(hào):GI750-E3/73
|
制造商:
|
描述:DIODE GEN PURP 50V 6A P600
|
RoHs狀態(tài):RoHS
|
|
型號(hào):IRD3CH42DF6
|
制造商:
|
描述:DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
|
RoHs狀態(tài):RoHS
|
|
型號(hào):GI754-E3/73
|
制造商:
|
描述:DIODE GEN PURP 400V 6A P600
|
RoHs狀態(tài):RoHS
|
|
型號(hào):GI701S
|
制造商:
|
描述:FAIL-SAFE INDUCTIVE SENSOR; M30
|
RoHs狀態(tài):RoHS
|
|
型號(hào):GI756-E3/73
|
制造商:
|
描述:DIODE GEN PURP 600V 6A P600
|
RoHs狀態(tài):RoHS
|
|
型號(hào):GI756-E3/54
|
制造商:
|
描述:DIODE GEN PURP 600V 6A P600
|
RoHs狀態(tài):RoHS
|
|
型號(hào):GI754
|
制造商:
|
描述:DIODE GEN PURP 400V 6A AXIAL
|
RoHs狀態(tài):RoHS
|
|
型號(hào):GI751-E3/54
|
制造商:
|
描述:DIODE GEN PURP 100V 6A P600
|
RoHs狀態(tài):RoHS
|
|
型號(hào):GI752
|
制造商:
|
描述:DIODE GEN PURP 200V 6A AXIAL
|
RoHs狀態(tài):RoHS
|
|
型號(hào):GI751-E3/73
|
制造商:
|
描述:DIODE GEN PURP 100V 6A P600
|
RoHs狀態(tài):RoHS
|