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產(chǎn)品概述

型號(hào) VWM200-01P
廠家/品牌 IXYS
產(chǎn)品描述 MOSFET 6N-CH 100V 210A V2
數(shù)據(jù)庫 VWM200-01P.pdf
RoHs狀態(tài)
庫存狀況 Out Stock
發(fā)貨地 Hong Kong
運(yùn)輸方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有現(xiàn)貨： 0 pcs

參考價(jià)格(美元)

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產(chǎn)品特性

  • 型號(hào)VWM200-01P
  • 制造商IXYS
  • 描述MOSFET 6N-CH 100V 210A V2
  • 產(chǎn)品分類44
  • 產(chǎn)品狀態(tài)0 pcs Stock
  • 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds-
  • 組態(tài)6 N-Channel (3-Phase Bridge)
  • 系列-
  • 類別Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->FET, MOSFET Arrays
  • 電流 - 25°C連續(xù)排水（Id）210A
  • 漏極至源極電壓（Vdss）100V
  • 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs430nC @ 10V
  • 技術(shù)MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
  • 封裝/箱體V2-PAK
  • 安裝類型Chassis Mount
  • 基本產(chǎn)品編號(hào)VWM200
  • 包裹Box
  • 功率 - 最大-
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝V2-PAK
  • 產(chǎn)品狀態(tài)Obsolete
  • VGS（TH）（最大）@標(biāo)識(shí)4V @ 2mA
  • RDS（ON）（最大值）@標(biāo)識(shí)，柵極電壓5.2mOhm @ 100A, 10V
  • FET特點(diǎn)-

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