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SPI16N50C3HKSA1

Infineon Technologies

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產(chǎn)品概述

型號 SPI16N50C3HKSA1
廠家/品牌 Infineon Technologies
產(chǎn)品描述 MOSFET N-CH 560V 16A TO262-3
數(shù)據(jù)庫 1.SPI16N50C3HKSA1.pdf 2.SPI16N50C3HKSA1.pdf
RoHs狀態(tài)
庫存狀況 Out Stock
發(fā)貨地 Hong Kong
運輸方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有現(xiàn)貨： 0 pcs

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產(chǎn)品特性

  • 型號SPI16N50C3HKSA1
  • 制造商Infineon Technologies
  • 描述MOSFET N-CH 560V 16A TO262-3
  • 產(chǎn)品分類46
  • 產(chǎn)品狀態(tài)0 pcs Stock
  • 驅(qū)動電壓（最大Rds開，最小Rds開）10V
  • 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds1600 pF @ 25 V
  • 系列CoolMOS?
  • 類別Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 電流 - 25°C連續(xù)排水（Id）16A (Tc)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）560 V
  • 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs66 nC @ 10 V
  • 技術(shù)MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封裝/箱體TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
  • 安裝類型Through Hole
  • 基本產(chǎn)品編號SPI16N
  • 包裹Tube
  • 功率耗散（最大）160W (Tc)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝PG-TO262-3-1
  • 產(chǎn)品狀態(tài)Obsolete
  • Vgs（最大）±20V
  • VGS（TH）（最大）@標識3.9V @ 675μA
  • RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓280mOhm @ 10A, 10V
  • FET特點-
  • FET型N-Channel

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