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SPB80N03S2L06T

Infineon Technologies

  • SPB80N03S2L06T Image
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產(chǎn)品概述

型號 SPB80N03S2L06T
廠家/品牌 Infineon Technologies
產(chǎn)品描述 MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
數(shù)據(jù)庫 1.SPB80N03S2L06T.pdf 2.SPB80N03S2L06T.pdf
RoHs狀態(tài)
庫存狀況 Out Stock
發(fā)貨地 Hong Kong
運輸方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有現(xiàn)貨： 0 pcs

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產(chǎn)品特性

  • 型號SPB80N03S2L06T
  • 制造商Infineon Technologies
  • 描述MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
  • 產(chǎn)品分類46
  • 產(chǎn)品狀態(tài)0 pcs Stock
  • 驅(qū)動電壓（最大Rds開，最小Rds開）4.5V, 10V
  • 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds2530 pF @ 25 V
  • 系列OptiMOS?
  • 類別Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 電流 - 25°C連續(xù)排水（Id）80A (Tc)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）30 V
  • 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs68 nC @ 10 V
  • 技術(shù)MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
  • 封裝/箱體TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 安裝類型Surface Mount
  • 基本產(chǎn)品編號SPB80N
  • 包裹Tape & Reel (TR)
  • 功率耗散（最大）150W (Tc)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝PG-TO263-3-2
  • 產(chǎn)品狀態(tài)Obsolete
  • Vgs（最大）±20V
  • VGS（TH）（最大）@標識2V @ 80μA
  • RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓5.9mOhm @ 80A, 10V
  • FET特點-
  • FET型N-Channel

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