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  • IXFT6N100Q Image
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產(chǎn)品概述

型號 IXFT6N100Q
廠家/品牌 IXYS
產(chǎn)品描述 MOSFET N-CH 1000V 6A TO268
數(shù)據(jù)庫 IXFT6N100Q.pdf
RoHs狀態(tài)
庫存狀況 Out Stock
發(fā)貨地 Hong Kong
運(yùn)輸方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有現(xiàn)貨： 0 pcs

參考價格(美元)

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產(chǎn)品特性

  • 型號IXFT6N100Q
  • 制造商IXYS
  • 描述MOSFET N-CH 1000V 6A TO268
  • 產(chǎn)品分類46
  • 產(chǎn)品狀態(tài)0 pcs Stock
  • 驅(qū)動電壓（最大Rds開，最小Rds開）10V
  • 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds2200 pF @ 25 V
  • 系列HiPerFET?
  • 類別Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 電流 - 25°C連續(xù)排水（Id）6A (Tc)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）1000 V
  • 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs48 nC @ 10 V
  • 技術(shù)MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封裝/箱體TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • 安裝類型Surface Mount
  • 基本產(chǎn)品編號IXFT6
  • 包裹Tube
  • 功率耗散（最大）180W (Tc)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝TO-268AA
  • 產(chǎn)品狀態(tài)Obsolete
  • Vgs（最大）±20V
  • VGS（TH）（最大）@標(biāo)識4.5V @ 2.5mA
  • RDS（ON）（最大值）@標(biāo)識，柵極電壓1.9Ohm @ 3A, 10V
  • FET特點(diǎn)-
  • FET型N-Channel

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