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產(chǎn)品概述

型號 IRLW510ATM
廠家/品牌 onsemi
產(chǎn)品描述 MOSFET N-CH 100V 5.6A I2PAK
數(shù)據(jù)庫 1.IRLW510ATM.pdf 2.IRLW510ATM.pdf 3.IRLW510ATM.pdf
RoHs狀態(tài)
庫存狀況 Out Stock
發(fā)貨地 Hong Kong
運(yùn)輸方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有現(xiàn)貨： 0 pcs

參考價(jià)格(美元)

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產(chǎn)品特性

  • 型號IRLW510ATM
  • 制造商onsemi
  • 描述MOSFET N-CH 100V 5.6A I2PAK
  • 產(chǎn)品分類46
  • 產(chǎn)品狀態(tài)0 pcs Stock
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大Rds開，最小Rds開）5V
  • 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds235 pF @ 25 V
  • 系列-
  • 類別Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 電流 - 25°C連續(xù)排水（Id）5.6A (Tc)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）100 V
  • 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs8 nC @ 5 V
  • 技術(shù)MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
  • 封裝/箱體TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
  • 安裝類型Through Hole
  • 基本產(chǎn)品編號IRLW51
  • 包裹Tape & Reel (TR)
  • 功率耗散（最大）3.8W (Ta), 37W (Tc)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝I2PAK (TO-262)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)Obsolete
  • Vgs（最大）±20V
  • VGS（TH）（最大）@標(biāo)識2V @ 250μA
  • RDS（ON）（最大值）@標(biāo)識，柵極電壓440mOhm @ 2.8A, 5V
  • FET特點(diǎn)-
  • FET型N-Channel

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