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IRF6710S2TRPBF

Infineon Technologies

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產(chǎn)品概述

型號 IRF6710S2TRPBF
廠家/品牌 Infineon Technologies
產(chǎn)品描述 MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET
數(shù)據(jù)庫 1.IRF6710S2TRPBF.pdf 2.IRF6710S2TRPBF.pdf 3.IRF6710S2TRPBF.pdf 4.IRF6710S2TRPBF.pdf
RoHs狀態(tài)
庫存狀況 Out Stock
發(fā)貨地 Hong Kong
運輸方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有現(xiàn)貨： 0 pcs

參考價格(美元)

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產(chǎn)品特性

  • 型號IRF6710S2TRPBF
  • 制造商Infineon Technologies
  • 描述MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET
  • 產(chǎn)品分類46
  • 產(chǎn)品狀態(tài)0 pcs Stock
  • 驅動電壓（最大Rds開，最小Rds開）4.5V, 10V
  • 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds1190 pF @ 13 V
  • 系列HEXFET?
  • 類別Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 電流 - 25°C連續(xù)排水（Id）12A (Ta), 37A (Tc)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）25 V
  • 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs13 nC @ 4.5 V
  • 技術MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
  • 封裝/箱體DirectFET? Isometric S1
  • 安裝類型Surface Mount
  • 包裹Tape & Reel (TR)
  • 功率耗散（最大）1.8W (Ta), 15W (Tc)
  • 供應商設備封裝DirectFET? Isometric S1
  • 產(chǎn)品狀態(tài)Obsolete
  • Vgs（最大）±20V
  • VGS（TH）（最大）@標識2.4V @ 25μA
  • RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓5.9mOhm @ 12A, 10V
  • FET特點-
  • FET型N-Channel

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