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產(chǎn)品概述

型號(hào) FQE10N20CTU
廠家/品牌 onsemi
產(chǎn)品描述 MOSFET N-CH 200V 4A TO126-3
數(shù)據(jù)庫(kù) 1.FQE10N20CTU.pdf 2.FQE10N20CTU.pdf
RoHs狀態(tài)
庫(kù)存狀況 Out Stock
發(fā)貨地 Hong Kong
運(yùn)輸方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有現(xiàn)貨： 0 pcs

參考價(jià)格(美元)

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產(chǎn)品特性

  • 型號(hào)FQE10N20CTU
  • 制造商onsemi
  • 描述MOSFET N-CH 200V 4A TO126-3
  • 產(chǎn)品分類46
  • 產(chǎn)品狀態(tài)0 pcs Stock
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大Rds開(kāi)，最小Rds開(kāi)）10V
  • 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds510 pF @ 25 V
  • 系列QFET?
  • 類別Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 電流 - 25°C連續(xù)排水（Id）4A (Tc)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）200 V
  • 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs26 nC @ 10 V
  • 技術(shù)MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封裝/箱體TO-225AA, TO-126-3
  • 安裝類型Through Hole
  • 基本產(chǎn)品編號(hào)FQE1
  • 包裹Tube
  • 功率耗散（最大）12.8W (Tc)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝TO-126-3
  • 產(chǎn)品狀態(tài)Obsolete
  • Vgs（最大）±30V
  • VGS（TH）（最大）@標(biāo)識(shí)4V @ 250μA
  • RDS（ON）（最大值）@標(biāo)識(shí)，柵極電壓360mOhm @ 2A, 10V
  • FET特點(diǎn)-
  • FET型N-Channel

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